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Theoretische Halbleiter- und Festkörperphysik

Prof. Dr. E. Vass



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Auf diesem Gebiet werden folgende Forschungsziele verfolgt:

1) Quantentheoretische Deutung und Berechnung von Physikalischen Größen, welche den Energie- und Ladungstransport in Halbleitern und Metallen charakterisieren
2) Störungstheoretische Berechnung des Photonen-Absorptionskoeffizienten von Elektronen und Löchern in stark dotierten Element- und Verbindungs-Halbleitern
3) Theoretische Analyse der Wechselwirkung und Lebensdauer von Quasi-Teilchen in synthetischen Halbleiter-Strukturen
4) Elektron-Phonon-Wechselwirkung
Die Resultate der Forschungsarbeiten über diese Themen sind für die Entwicklung schneller elektronischer Schalter sowie für die Konzeption von Strahlungsquellen und Detektoren für den sichtbaren und infraroten Spektralbereich von Interesse.



Wissenschaftliche Mitarbeiter:
  • Matthias Agethle
 
Forschungsarbeiten
  • Infrarot-Photonenabsorption freier Ladungsträger in Elementhalbleitern
  • Wechselwirkung akustischer Phononen in III-V-Halbleitern und Metallen
  • Tunneln von Elektronen und Löchern in extrem dünnen SiO2-Schichten
 
Vorlesungen, Praktika
Ausgewählte Publikationen, Diplomarbeiten, Dissertationen


Gestaltung:  Reinhard Bischof