Auf diesem Gebiet werden folgende Forschungsziele verfolgt:
1) Quantentheoretische Deutung und Berechnung von Physikalischen Größen, welche den Energie- und Ladungstransport in Halbleitern und Metallen charakterisieren 2) Störungstheoretische Berechnung des Photonen-Absorptionskoeffizienten von Elektronen und Löchern in stark dotierten Element- und Verbindungs-Halbleitern 3) Theoretische Analyse der Wechselwirkung und Lebensdauer von Quasi-Teilchen in synthetischen Halbleiter-Strukturen 4) Elektron-Phonon-Wechselwirkung Die Resultate der Forschungsarbeiten über diese Themen sind für die Entwicklung schneller elektronischer Schalter sowie für die Konzeption von Strahlungsquellen und Detektoren für den sichtbaren und infraroten Spektralbereich von Interesse.
Wissenschaftliche Mitarbeiter:
Matthias Agethle
Forschungsarbeiten
Infrarot-Photonenabsorption freier Ladungsträger in Elementhalbleitern
Wechselwirkung akustischer Phononen in III-V-Halbleitern und Metallen
Tunneln von Elektronen und Löchern in extrem dünnen SiO2-Schichten
